強磁性トンネル接合素子に代表されるように、電子の電荷とスピンの両性質を積極的に利用し、デバイス応用を目指すのが『スピンエレクトロニクス(スピントロニクス)』です。 MRAMやHDD用のヘッドはスピンエレクトロニクスデバイスの代表であり、当分野の進展が情報記憶素子の『大容量・高速・低消費電力』化を実現します。

　しかしながら、スピンエレクトロニクスの進展はメモリーやHDDヘッドの高性能化に寄与するにとどまらず、大容量通信を可能にする「高周波マイクロ波発振器」、演算機能を次々変化させることが可能な「不揮発性論理演算素子」、脳磁界等の微弱磁場を検出可能な「超高感度磁場センサ」等のこれまでにない全く新しいスピンエレクトロニクスデバイスの創製を可能にします。