電子デバイスの排熱制御に向けた「スピン梯子系銅酸化物」の配向成膜技術を開発
─ 半導体シリコン基板にも低温で容易に作製 ─
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻 藤原研究室の渡辺祥太氏（研究当時：博士前期課程）、寺門信明助教（研究当時：JST さきがけ研究者兼任）、藤原巧教授らは、同大学院工学研究科技術部の宮崎孝道博士、東京電機大学の川股隆行准教授（研究当時：東北大学助教）らとの共同研究により、次世代の熱マネジメント技術への応用が期待できる磁性原子が梯子（はしご）状に配列したスピン梯子系銅酸化物La5Ca9Cu24O41を配向成膜することに成功しました。今回開発した技術は、簡便なスパッタリング法を用いてガラスや単結晶シリコン上への低温成膜（約400℃）が可能であるうえ、結晶中で高熱伝導な梯子面を基板に対して平行に堆積できるため、異方的かつ効率的な排熱やその再利用を可能にする次世代熱制御デバイスへの応用が期待されます。
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本研究成果は、オランダの学術出版大手エルゼビアが発行する表面科学に関する国際学術誌「Applied Surface Science」に2022年8月9日にオンライン掲載されました。
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