【7月26日（水）】GaNパワーデバイスセミナーが開催されます

多元物質科学研究所にて、下記の日程で「GaNパワーデバイスセミナー」が開催されます。

分野・職位関係なく、学生さんも歓迎ですので、お気軽にご参加ください。

■日時：2023/7/26（水）15:00～16:30
■場所：多元研 西１号館２Fセミナー室

■演題：GaNパワートランジスタの進展とMOS界面制御
■講演者：名古屋大学特任教授・北海道大学名誉教授　橋詰 保 氏
■概要：GaN高電子移動度トランジスタ (HEMT) は、5G/6G移動体通信システムの高周波パワー増幅トランジスタとして、主力の座を担いつつある。
また、次世代インバータ用の低損失電力スイッチングトランジスタの開発が加速され、一部は高効率ACアダプタとして市販されている。
本セミナーでは、GaNトランジスタの更なる進展を紹介し、キーテクノロジーの１つであるMOS (Metal Oxide Semiconductor) 界面制御技術について概説する。

http://www2.tagen.tohoku.ac.jp/lab/chichibu/news_event/2023623/