多元物質科学研究所にて、下記の日程で「GaNパワーデバイスセミナー」が開催されます。
分野・職位関係なく、学生さんも歓迎ですので、お気軽にご参加ください。
■日時:2023/7/26(水)15:00~16:30
■場所:多元研 西1号館2Fセミナー室
■演題:GaNパワートランジスタの進展とMOS界面制御
■講演者:名古屋大学特任教授・北海道大学名誉教授 橋詰 保 氏
■概要:GaN高電子移動度トランジスタ (HEMT) は、5G/
また、
本セミナーでは、GaNトランジスタの更なる進展を紹介し、
http://www2.tagen.tohoku.ac.