安藤研究室の、2009年度の発表リストです。

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2009年度　論文発表

• D. Watanabe, S. Mizukami, F. Wu, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando, and Y. Miyazaki, "Interlayer exchange coupling in perpendicularly magnetized synthetic ferrimagnet structure using CoCrPt and CoFeB", J. Phys. Conf. Ser., 200 (2010) 072104.

• F. Wu, S. Mizukami, D. Watanabe, H. Naganuma, M. Oogane, Y. Ando, and T. Miyazaki, "Structural and magnetic properties of Mn_2.5Ga films", J. Phys. Conf. Ser., 200 (2010) 062037.
• Takuya Ono, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, and Yasuo Ando, "Synthetic CoFeB/Ru/NiFe free layer on MgO barrier layer for spin transfer switching", J. Phys. Conf. Ser., 200 (2010) 062019.
• S. Mizukami, S. Tsunegi, T. Kubota, M. Oogane, D. Watanabe, H. Naganuma, Y. Ando, and T. Miyazaki, "Ultrafast demagnetization for Ni₈₀Fe₂₀ and half-metallic Co₂MnSi Heusler alloy films", J. Phys. Conf. Ser., 200 (2010) 042017.
• Y. Ohdaira, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Spin transistor based on double tunnel junctions using half-metallic Co₂MnSi electrodes", J. Phys. Conf. Ser., 200 (2010) 052019.
• M. Nishimura, M. Oogane, H. Naganuma, N. Inami, S. Ikeda, H. Ohno, and Y. Ando, "Spin-transfer switching in magnetic tunnel junctions with synthetic ferri-magnetic free layer", J. Phys. Conf. Ser., 200 (2010) 052018.
• G. Kim, T. Hiratsuka, H. Naganuma, M. Oogane, and Y. Ando, "Magnetoresistance of perpendicularly magnetized tunnel junction using L1₀-CoNiPt with low saturation magnetization", J. Phys. Conf. Ser., 200 (2010) 052011.
• L. X. Jiang, H. Naganuma, M. Oogane, K. Fujiwara, T. Miyazaki, K. Sato, T. J. Konno, S. Mizukami, and Y. Ando, "Magnetotransport properties of CoFeB/MgO/CoFe/MgO/CoFeB double barrier magnetic tunnel junctions with large negative magnetoresistance at room temperature", J. Phys. Conf. Ser., 200 (2010) 052009.
• N. Inami, G. Kim, T. Hiratsuka, H. Naganuma, M. Oogane, and Y. Ando, "Structural, Magnetic, and Magnetotransport Properties of FePt/MgO/CoPt Perpendicularly Magnetized Tunnel Junctions", J. Phys. Conf. Ser., 200 (2010) 052008.
• M. A. I. Nahid, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "The effect of MgO barrier on the structure and magnetic properties of Co₂MnSi films on n-Si(100) substrates", J. Appl. Phys., 106 (2009) 103907.
• M. A. I. Nahid, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Study of Structure, Magnetic and Electrical Properties of Co₂MnSi Heusler Alloy Thin Films onto n-Si Substrates", IEEE Trans. Magn., 45 (2009) 4030.
• M. A. I. Nahid, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Structural and magnetic properties of Co₂MnSi alloy thin films", Jpn. J. of Appl. Phys., 48 (2009) 083002.
• L. Jiang, H. Naganuma, M. Oogane, and Y. Ando, "Large Tunnel Magnetoresistance of 1056% at Room Temperature in MgO Based Double Barrier Magnetic Tunnel Junction", Appl. Phys. Exp., 2 (2009) 083002.
• S. Tsunegi, Y. Sakuraba, M. Oogane, H. Naganuma, K. Takanashi, and Y. Ando, "Enhancement in tunnel magnetoresistance effect by inserting CoFeB to the tunneling barrier interface in Co₂MnSi/MgO/CoFe magnetic tunnel junctions", Appl. Phys. Lett., 94 (2009) 252503.
• O. Gaier, J. Hamrle, B. Hillebrands, M. Kallmayer, P. Pörsch, G. Schönhense, H. J. Elmers, J. Fassbender, A. Gloskovskii, C. A. Jenkins, C. Felser, E. Ikenaga, Y. Sakuraba, S. Tsunegi, M. Oogane, and Y. Ando, "Improvement of structural, electronic, and magnetic properties of Co₂MnSi thin films by He⁺ irradiation", Appl. Phys. Lett., 94 (2009) 152508.
• S. Tsunegi, Y. Sakuraba, M. Oogane, N. D. Telling, L. R. Shelfold, E. Arenholz, G van der Laan, R. J. Hicken, K. Takanashi and Y. Ando, "Tunnel magnetoresistance in epitaxially grown magnetic tunnel junctions using Heusler alloy electrode and MgO barrier", J. Phys. D: Appl. Phys., 42 (2009) 195004.
• S. Ouardi, A. Gloskovskii, B. Balke, C. A. Jenkins, J. Barth, G. H. Fecher, C. Felser, M. Gorgoi, M. Mertin, F. Schäfers, E. Ikenaga, K. Yang, K. Kobayashi, T. Kubota, M. Oogane, and Y. Ando, "Electronic properties of Co₂MnSi thin films studied by hard x-ray photoelectron spectroscopy", J. Phys. D: Appl. Phys., 42 (2009) 084011.
• J. Hamrle, O. Gaier, Seong-Gi Min, B. Hillebrands, Y. Sakuraba, and Y. Ando, "Determination of exchange constants of Heusler compounds by Brillouin light scattering spectroscopy: application to Co₂MnSi", J. Phys. D: Appl. Phys., 42 (2009) 084005.
• 永沼博, 三浦淳, 神島謙二, 柿崎浩一, 平塚信之, 安藤康夫, 岡村総一郎, 「Co置換Biフェライト薄膜の室温での強誘電性および磁気特性」, J. Magn. Soc. Jpn., 33 (2009) 237.
• Hiroshi Naganuma, Tomosato Okubo, Shota Sekiguchi, Yasuo Ando, and Soichiro Okamura, "Structural, magnetic and ferroelectric properties of multiferroic BiFeO₃-based composite films with exchange bias", J. Appl. Phys., 105 (2009) 07D903.

2009年度　招待講演

1. Lixian Jiang, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "MgO障壁を有する二重トンネル接合の室温における1056%の巨大トンネル磁気抵抗効果", 第57回応用物理学関係連合講演会 講演奨励賞受賞記念講演, 平塚 (2010年3月19日).
2. 安藤 康夫, Lixian Jiang, 永沼 博, 大兼 幹彦, "MgO二重障壁強磁性トンネル接合における巨大磁気抵抗効果", 第57回応用物理学関係連合講演会シンポジウム「スピントロニクスデバイスの新展開」, 平塚, (2010年3月18日).
3. 永沼博, 安井伸太郎, 西田謙, 舟窪浩, 飯島高志, 岡村総一郎, 大兼幹彦, 水上成美, 安藤康夫, 「Bi系マルチフェロイックス薄膜を用いたスピントロニクス」, 第28回スピンエレクトロニクス専門研究会, 中央大学駿河台記念館, 東京, (2010年1月12日).
4. 安藤 康夫, "MgO障壁層を用いた二重強磁性トンネル接合における巨大磁気抵抗効果", IDEMA JAPAN 合同部会講演会, , (2009年12月).
5. 永沼博,「Biマルチフェロイック酸化物材料を用いたスピンエレクトロニクスの展開」, 第122回スピニクス研究会, 仙台 (2009年11月20日).
6. 安藤 康夫, "MgO障壁層を用いた二重強磁性トンネル接合における磁気抵抗効果", 電子情報技術産業協会(JEITA) 第4回スピントロニクス技術分科会, , (2009年11月).
7. H. Naganuma, S. Yasui, K. Nishida, T. Iijima, H. Shima, S. Okumura, H. Funakubo, T. Miyazaki, I.-T. Bae, H. A. Begum, S. Tsunegi, M. Oogane, S. Mizukami, and Y. Ando, "Structural, Ferroelectric, and Magnetic Properties of BiFeO₃-BiCoO₃ Solid Solution Films", 第33回日本磁気学会学術講演会, 長崎 (2009年9月13日).
8. H. Naganuma, S. Yasui, H. Funakubo, T. Iijima, S. Mizukami, M. Oogane, Y. Ando, and S. Okamura, "BiFeO₃-BiCoO₃ SOLID SOLUTION FILMS FOR SPINTRONICS APPLICATIONS", Joint-meeting of 12th International Meeting on Ferroelectricity and 18th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics (IMF-ISAF), Xi’an, China (24th Aug 2009).

2009年度　国際会議

11th Joint MMM-Intermag Conference, Washington D.C. (18-22nd Jan 2010)

1. Tatsuya Aoki, Yasuo Ando, Mikihiko Oogane and Hiroshi Naganuma, "Reproducible trajectory in sub ns spin transfer switching for MgO based magnetic tunnel junctions under zero biasing field".
2. M. A. I. Nahid, Mikihiko Oogane, Hiroshi Naganuma and Yasuo Ando, "The effect of doping concentration of Si on the nature of barrier of Co₂MnSi/MgO/n-Si junctions".
3. LiXian Jiang, Hiroshi Naganuma, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando and Tadashi Morita, "Giant tunneling magnetoresistance of 1056% at RT in double barrier magnetic tunnel junctions with MgO barrier".
4. Nobuhito Inami, Hiroshi Naganuma, Takamichi Miyazaki, Kazuhisa Sato, Toyohiko J. Konno, Gukcheon Kim, Mikihiko Oogane, Yasuo Ando, "Characterization of Perpendicularly Magnetized Magnetic Tunnel Junction with L1₀-ordered FePt and CoPt electrodes".
5. Takahide Kubota, K. Kodama, T. Nakamura, Y. Sakuraba, M. Oogane, K. Takanashi, Y. Ando, "Investigation of ferrimagnetism in Mn₂VAl Heusler epitaxial thin film".
6. Daisuke Ogawa, K. Koike, T. Akiya, T. Miyazaki, M. Oogane, Y. Ando and H. Kato, "Structure and exchange-coupling in Nd₂Fe₁₄B thin films grown on α-Fe(100)".

20th International Colloquim on Magnetic Films and Surfaces, Berlin, Germany (20-24th Jul 2009)

7. T. Ono, H. Naganuma, M. Oogane, and Y. Ando, "Spin Transfer Switching of Synthetic CoFeB/Ru/NiFe Free Layer with MgO Barrier".
8. S. Mizukami, D. Watanabe, F. Wu, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando, and T. Miyazaki, "Fast Magnetization Dynamics in Perpendicularly Magnetized Pt/Co/Pt Films Measured by All-Optical Pump-Probe Technique".
9. S. Tsunegi, Y. Sakuraba, M. Oogane, H. Naganuma, N. Inami, K. Takanashi, and Y. Ando, "The effect of inserting thin CoFeB layer into Co₂MnSi/MgO interface on TMR effect".
10. T. Kubota, S. Tsunegi, M. Oogane, S. Mizukami, T. Miyazaki, H. Naganuma, and Y. Ando, "Composition dependence of half-metallicity in tunneling transport properties and Gilbert damping constant in Co₂Fe_xMn_1-xSi Heusler alloys".
11. G. Kim, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Fabrication of magnetic tunnel junction using L1₀-CoNiPt with low saturation magnetization".
12. M. Oogane, S. Hida, S. Tsunegi, H. Naganuma, N. Inami, and Y. Ando, "Spintransfer Switching in Magnetic Tunnel Junctions with Half-metallic Heusler Alloy Electrode".
13. H. Naganuma, J. Miura, I.-T. Bae, S. Okumura, and Y. Ando, "Multiferroic Properties of Cobalt Substituted BiFeO₃ Polycrystaline Films"
14. M. A. I. Nahid, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Structural, Magnetic and Electrical Properties of Co₂MnSi/MgO/n-Si Tunnel Junctions".
15. N. Inami, G. Kim, T. Hiratsuka, H. Naganuma, M. Oogane, and Y. Ando, "Characterization of FePt/MgO/CoPt Magnetic Tunnel Junction with Perpendicular Magnetoanisotropy".
16. Y. Ohdaira, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Gate voltage dependence of tunnel magnetoresistance in spin transistor using Co₂MnSi electrodes".

Joint Workshop of DFG Research Unit 559 and JST Strategic Japanese-German Cooperative Programme, Diemerstein, Germany, 25-26th Jul 2009

17. Y. Ohdaira, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Fabrication of spin transistor using Co₂MnSi electrodes".
18. T. Aoki, Y. Ando, M. Oogane, and H. Naganuma, "Current-external field diagram of spin transfer switching in the adiabatic regime".
19. G. Kim, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Tunneling magnetoresistance of magnetic tunnel junctions using perpendicular magnetization L1₀-CoNiPt electrodes".
20. T. Ono, H. Naganuma, M. Oogane, and Y. Ando, "Spin Transfer Switching of Synthetic CoFeB/Ru/NiFe Free Layer on MgO Barrier".
21. M. A. I. Nahid, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Structural, Magnetic and Electrical Properties of Co₂MnSi/MgO/n-Si Tunnel Junctions".
22. S. Tsunegi, Y. Sakuraba, M. Oogane, H. Naganuma, N. Inami, K. Takanashi, and Y. Ando, "Enhancement of TMR ratio by modification of Co₂MnSi/MgO interface".
23. T. Kubota, S. Tsunegi, M. Oogane, S. Mizukami, T. Miyazaki, H. Naganuma, and Y. Ando, "Tunnel magnetoresistance effect and Gilbert damping constant in Co₂Fe_xMn_1-xSi Heusler alloys depending on the film composition".
24. M. Oogane, S. Tsunegi, J. Sato, S. Hida, Y. Sakuraba, S. Mizukami, N. Inami, H. Naganuma, and Y. Ando, "Tunnel magnetoresistance effect in magnetic tunnel junctions using Heusler alloy electrodes".
25. S. Mizukami, "Gilbert damping in Heusler alloy".

International Conference on Magnetism 2009, Karlsruhe, Germany, 26-31st Jul 2009

26. M. A. I. Nahid, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Structural, Magnetic and Electrical Properties of Co₂MnSi/MgO/n-Si Tunnel Junctions".
27. Y. Ohdaira, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Spin transistor with structure consisting of two tunnel junctions using Co₂MnSi electrodes".
28. N. Inami, G. Kim, T. Hiratsuka, H. Naganuma, M. Oogane, and Y. Ando, "Magnetic and Structural Properties of FePt/MgO/CoPt Perpendicular Magnetic Tunnel Junction".
29. S. Tsunegi, Y. Sakuraba, M. Oogane, H. Naganuma, N. Inami, K. Takanashi, and Y. Ando, "The effect of modifying Co₂MnSi/MgO interface on TMR effect"
30. T. Aoki, Y. Ando, M. Oogane, and H. Naganuma, "Switching current-external field diagram of spin-transfer magnetization switching in the sub-ns regime".
31. G. Kim, M. Oogane, H. Naganuma, and Y. Ando, "Fabrication of Thin L1₀-CoNiPt Film with Low Saturation Magnetization".
32. M. Oogane, T. Kubota, S. Tsunegi, J. Sato, H. Naganuma, S. Mizukami, Y. Ando, "Magnetic Damping Constants for Half-metallic Alloy Thin Films".
33. S. Mizukami, S. Tsunegi, T. Kubota, M. Oogane, D. Watanabe, H. Naganuma, Y. Ando, and T. Miyazaki, "Ultrafast Demagnetization for Ni₈₀Fe₂₀ and Half-metallic Co₂MnSi Heusler Alloy Films".
34. H. Naganuma, A. Ukachi, M. Oogane, S. Mizukami, and Y. Ando, "Epitaxial BiFeO₃ film grown on SrTiO₃(100) substrates by crystallizing amorphous Bi-Fe-O_x".
35. T. Ono, H. Naganuma, M. Oogane, and Y. Ando, "Synthetic CoFeB/Ru/NiFe Free Layer on MgO Barrier Layer for Spin Transfer Switching".

Others

36. M. Oogane, T. Kubota, S. Tsunegi, J. Sato, H. Naganuma, S. Mizukami, and Y. Ando, "Magnetic damping of half-metallic Heusler alloys", International Workshop and Seminar on Magnonics: From Fundamentals to Applications 2009, Dresden, Germany, 6th Aug 2009.
37. S. Mizukami, E. P. Sajitha, D. Watanabe, F. Wu, M. Oogane, H. Naganuma, Y. Ando, and T. Miyazaki, "Optical Study on Fast Magnetization Dynamics in Perpendicularly Magnetized Pt/Co/Pt Trilayer Films", 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, 9th Oct 2009.
38. M. A. I. Nahid, M. Oogane, and Y. Ando, "Study of Structure and Magnetic Properties of Co₂MnSi Thin Films onto Si", IEEE International Magnetic Conference, Scramento, California, USA, 4-8th May 2009.

2009年度　国内会議

第57回応用物理学関係連合講演会, 平塚, 2010年3月17-20日

1. 窪田 崇秀, 大兼 幹彦, 水上 成美, 永沼 博, 安藤 康夫, "半金属ホイスラー合金Fe₂VAl薄膜を用いた磁性多層膜におけるスピン依存伝導特性"
2. 井波 暢人, 永沼 博, 宮崎 孝道, 佐藤 和久, 今野 豊彦, 金 国天, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "FePt/MgO/CoPt垂直磁化トンネル磁気接合素子の極微構造"
3. 玉川 聖, 谷口 知大, 家形 諭, 今村 裕志, 永沼 博, 安藤 康夫, "種々の強磁性金属の横スピン侵入長測定"
4. 河田 祐紀, 永沼 博, 大兼 幹彦, 水上 成美, 宮崎 照宣, 安藤 康夫, "積層フェリ固定層を有するCPP-GMR素子における高周波発振特性"
5. 青木 達也, 家形 諭, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "サブナノ秒領域のスピン注入磁化反転評価のためのTMR素子の作製"
6. 青木 達也, 安藤 康夫, 大兼 幹彦, 永沼 博, "MgO障壁強磁性トンネル接合のサブナノ秒領域のスピン注入磁化反転"
7. 小野 拓也, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "積層自由層のスピン注入磁化反転特性に対する困難軸磁場印加効果"
8. 渡邉 大輔, Feng Wu, 水上 成美, E. P. Sajitha, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, 宮崎 照宣, "垂直磁化MnGaエピタキシャル薄膜を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗特性"
9. 大平 祐介, 大兼 幹彦, 永沼 博, 安藤 康夫, "Co₂MnSi電極強磁性トンネル接合からなるスピントランジスタ構造の作製"
10. 平塚 喬士, 金 国天, 桜庭 裕弥, 窪田 崇秀, 井波 暢人, 永沼 博, 大兼 幹彦, 高梨 弘毅, 安藤 康夫, "L1₀-FePt/Co₂MnSi積層電極を用いた強磁性トンネル接合の作製"

文部科学省科学研究費補助金 特定領域研究「スピン流の創出と制御」平成21年度成果報告会, 東京, 2010年1月13-14日

1. 安藤 康夫, 常木 澄人, J. Walowski, 玉川 聖, 大兼 幹彦, 水上 成美, 永沼 博, 宮崎 照宣, "磁性薄膜におけるスピン緩和の光学的検出"
2. 大兼 幹彦, 窪田 崇秀, 水上 成美, 永沼 博, 安藤 康夫, "Co₂Fe_xMn_1-xSiホイスラー合金薄膜の磁気緩和艇数の温度依存性"
3. 永沼 博, Lixian Jiang, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "室温で1056%の磁気抵抗比を有する二重トンネル接合素子の極微構造観察"
4. 水上 成美, J. Walowski, 窪田 崇秀, 大兼 幹彦, 永沼 博, 安藤 康夫, 宮崎 照宣, "Co₂Mn_1-xFe_xSiホイスラー合金薄膜におけるスピンダイナミクスの光学的検出"

第64回応用物理学会東北支部学術講演会, 郡山, 2009年12月3-4日

1. 玉川 聖, 谷口 知大, 家形 諭, 今村 裕志, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "スピンポンプを用いた強磁性体の横スピン侵入長測定"
2. 佐藤 丈, 窪田 崇秀, 大兼 幹彦, 永沼 博, 安藤 康夫, "磁気センサ応用に向けたホイスラー合金薄膜の開発"
3. 細田 真樹, 大兼 幹彦, 永沼 博, 安藤 康夫, "高品位MnAl強磁性合金薄膜の作製"
4. 河田 祐紀, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "磁性発振用CPP-GMR素子の作製およびその高周波発振特製"
5. 藤原 耕輔, 高 太好, 渡邉 大輔, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "反平行結合膜を用いた低磁気異方性CoFeB/MgO/CoFeB強磁性トンネル接合の作製"
6. 平塚 喬士, 桜庭 裕弥, 窪田 崇秀, 金 国天, 大兼 幹彦, 永沼 博, 井波 暢人, 高梨 弘毅, 安藤 康夫, "垂直磁化L1₀-CoPt,FePt/Co₂MnSi積層電極の作製と評価"
7. 小川 大介, 小池 邦博, 秋屋 貴博, 宮崎 孝道, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, 加藤 宏朗, "Fe(100)上に成長したNd₂Fe₁₄B薄膜の構造と交換結合"

第33回日本磁気学会学術講演会, 長崎, 2009年9月12-15日

1. 常木 澄人, 小沢 栄貴, 桜庭 裕弥, 大兼 幹彦, 井波 暢人, 永沼 博, 高梨 弘毅, 安藤 康夫, "トンネル特性へのホイスラー/MgO界面修飾効果"
2. 窪田 崇秀, 児玉 謙司, 中村 哲也, 桜庭 裕弥, 大兼 幹彦, 永沼 博, 高梨 弘毅, 安藤 康夫, "ホイスラー合金Mn₂VAlエピタキシャル薄膜の磁気特性".
3. 大兼 幹彦, 窪田 崇秀, 常木 澄人, 佐藤 丈,水上 成美, 永沼 博, 安藤 康夫, "Co₂Fe_xMn_1-xSiおよびCo₂MnAl_xSi_1-xホイスラー合金の磁気緩和定数".
4. 大平 祐介, 大兼 幹彦, 永沼 博, 安藤 康夫, "Co₂MnSi電極を用いたスピントランジスタの作製と評価".
5. 井波 暢人, 金 国天, 平塚 喬士, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "FePt/MgO/CoPt垂直磁化膜の構造および磁気抵抗特性".
6. 水上 成美, 甲斐 正, E. P. Sajitha, 渡邉 大輔, F. Wu, 永沼 博, 大兼 幹彦, 與田 博明, 安藤 康夫, 宮﨑 照宣, "FePd垂直磁化膜のスピンダイナミクス".

第70回応用物理学会学術講演会, 富山, 2009年9月8-11日

1. 平塚 喬士, 桜庭 裕弥, 金 国天, 窪田 崇秀, 井波 暢人, 永沼 博, 大兼 幹彦, 高梨 弘毅, 安藤 康夫, "CoPt/Co₂MnSi積層電極を用いた垂直磁化膜強磁性トンネル接合の作製".
2. 井波 暢人, 金 国天, 平塚 喬士, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "FePt/MgO/CoPtトンネル接合素子の垂直磁気抵抗効果".
3. 常木 澄人, 小沢 栄貴, 桜庭 裕弥, 大兼 幹彦, 井波 暢人, 永沼 博, 高梨 弘毅, 安藤 康夫, "Co₂MnSi/MgO界面へのCoFe挿入によるTMR比の向上".
4. 青木 達也, 安藤 康夫, 大兼 幹彦, 永沼 博, "スピン注入磁化反転における磁気的中間状態の印加電流挙動".
5. 大兼 幹彦, 飛田 智史, 常木 澄人, 西村 真之, 井波 暢人, 永沼 博, 安藤 康夫, "ホイスラー合金電極トンネル接合におけるスピン注入磁化反転".
6. 水上 成美, 甲斐 正, E. P. Sajitha, 渡邉 大輔, F. Wu, 永沼 博, 大兼 幹彦, 與田 博明, 安藤 康夫, 宮﨑 照宣, "垂直磁化FePd合金薄膜のダンピング定数の光学的評価".
7. 藤原 耕輔, 高 太好, 渡邉 大輔, 大兼 幹彦, 永沼 博, 安藤 康夫, "反平行結合膜フリー層を用いた低磁気異方性トンネル接合の作製".
8. 小野 拓也, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "平行結合したCoFeB/Ru/NiFe積層自由層のスピン注入磁化反転特性".
9. 窪田 崇秀, 大兼 幹彦, 水上 成美, 永沼 博, 安藤 康夫, "半金属ホイスラー合金Fe₂VAl薄膜の結晶構造と磁気・伝導特性".
10. 金 国天, 井波 暢人, 平塚 喬士, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "CoFeを挿入した垂直強磁性トンネル接合の作製と評価".
11. Zhenyao Tang, 田邉 真一, 畑中 大樹, 野崎 隆行, 新庄 輝也, 水上 成美, 安藤 康夫, 鈴木 義茂, 白石 誠司, "銅フタロシアニン=コバルトナノコンポジットにおけるスピン依存伝導とスピン=スピン相互作用の研究".
12. Lixian Jiang, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "Magneto-resistance effect in MgO-based double-barrier Magnetic Tunnel Junctions".
13. 西村 真之, 大兼 幹彦, 永沼 博, 井波 暢人, 池田 正二, 大野 英男, 安藤 康夫, "高反平行結合強度を有する積層フェリ構造を用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転".
14. 永沼 博, Bae In-Tae, 常木 澄人, Begum H, 宮崎 孝道, 大兼 幹彦, 水上 成美, 岡村 総一郎, 安藤 康夫, "Bi(Co, Fe)O₃薄膜の極微構造, 強誘電性および磁気特性".
15. 玉川 聖, 谷口 知大, 家形 諭, 今村 裕志, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "強磁性共鳴により測定した横スピン侵入長の強磁性材料依存性".
16. 細田 真樹, 窪田 崇秀, 金 国天, 井波 暢人, 大兼 幹彦, 永沼 博, 安藤 康夫, "高品位MnAl強磁性薄膜の作製".
17. 河田 祐紀, 永沼 博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, "磁性発振用CPP-GMR素子の作製およびその高周波特性",
18. 佐藤 丈, 窪田 崇秀, 大兼幹彦, 永沼 博, 安藤 康夫, "低保磁力フルホイスラー合金薄膜の作製".

その他

1. 小川 大介, 小池 邦博, 秋屋 貴博, 大兼 幹彦, 安藤 康夫, 加藤 宏明, "Fe(100)上にエピタキシャル成長したNd₂Fe₁₄B薄膜の構造と磁気特性", 日本金属学会 2009年秋季(第145回)大会, 京都, 2009年9月15-17日.
2. 永沼 博, In-Tae Bae, 常木 澄人, H. A. Begum, 大兼 幹彦, 水上 成美, 安藤 康夫, "Co置換BiFeO₃薄膜の構造, 磁性および磁気抵抗特性", 北海道大学 百年記念会館, 2009年8月10日.
3. 大兼 幹彦, 窪田 崇秀, 常木 澄人, 佐藤 丈, 水上 成美, 永沼 博, 安藤 康夫, "ホイスラー合金薄膜の磁気緩和定数の組成依存性", 文部科学省研究補助金 特定領域研究「スピン流の創出と制御」平成21年度研究会, 北海道, 2009年8月10日.
4. 水上 成美, 大兼 幹彦, 永沼 博, 安藤 康夫, 宮﨑 照宣, "ホイスラー合金薄膜におけるスピンダイナミクスの光学的検出", 文部科学省研究補助金 特定領域研究「スピン流の創出と制御」平成21年度研究会, 北海道, 2009年8月9日.
5. 水上 成美, 渡邉 大輔, E. P. Sajitha, F. Wu, 大兼 幹彦, 永沼 博, 安藤 康夫, 宮﨑 照宣, "フェムト秒レーザーを用いた垂直磁化膜のスピンダイナミクスの評価", 日本磁気学会光機能性磁気デバイス・磁性材料専門研究会, 電気学会 熱と磁気によるナノ領域スピン制御ストレージ技術調査専門委員会共催, 東京, 2009年7月3日.