安藤研究室の、2019年度の発表リストです。

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2019年度　論文発表

• In-plane and perpendicular exchange bias effect induced by an antiferromagnetic D019 Mn2FeGa thin film, Takahiro Ogasawara, Edward Jackson, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando, and Atsufumi Hirohata, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 484, 307-312 (2019)
• Compositional Dependence of Exchange Anisotropy inPtxMn100?x/CoyFe100?yFilms, Sina Ranjbar, Masakiyo Tsunoda, Muftah Al-Mahdawi, Mikihiko Oogane,and Yasuo Ando, IEEE MAGNETICS LETTERS, 10,4505905-1-5 (2019)
• Large nonvolatile control of interfacial magnetic anisotropy in CoPt by a ferroelectric ZnO-based tunneling barrier, Muftah Al-Mahdawi , Mohamed Belmoubarik, Masao Obata, Daiki Yoshikawa, Hideyuki Sato, Tomohiro Nozaki, Tatsuki Oda, and Masashi Sahashi, Physical Review B 100, 054423 (2019)
• Effect of second-order magnetic anisotropy on nonlinearity of conductance in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction for magnetic sensor devices, Takahiro Ogasawara, Mikihiko Oogane, Muftah Al-Mahdawi, Masakiyo Tsunoda, and Yasuo Ando, Scientific Reports, 9, 17018 (2019)
• Composition dependence of the second-order interfacial magnetic anisotropy for MgO/CoFeB/Ta films, Takahiro Ogasawara, Mikihiko Oogane, Muftah Al-Mahdawi, Masakiyo Tsunoda, and Yasuo Ando, AIP Advances 9, 125053 (2019)
• Fabrication and evaluation of highly c-plane oriented Mn3Sn thin films,T. Ikeda, M. Tsunoda, M. Oogane, S. Oh, T. Morita and Y. Ando, AIP advances 10, 015310 (2020)
• Large spin signals in n+-Si/MgO/Co2Fe0.4Mn0.6Si lateral spin-valve devices, Takeo Koike, Mikihiko Oogane, Masakiyo Tsunoda, and Yasuo Ando, Journal of Applied Physics 127, 085306 (2020)
• Low-frequency noise measurements on Fe?Sn Hall sensors,Junichi Shiogai, Zhenhu Jin, Yosuke Satake, Kohei Fujiwara and Atsushi Tsukazaki, Applied Physics Express,12,123001（2019）

2019年度　国際会議

JSPS-EPSRC Tohoku-Cambridge-CNRS Core to Core program Seminar, Paris,France, May 20-21, 2019

• “MR sensor with wide dynamic range and small non-linearity”，Mikihiko Oogane
• “Exploring MnAl-based MTJs for voltage-control of magnetic anisotropy”，Muftah Al-Mahdawi

9th Workshop of the Core-to-Core Project Tohoku-York-Kaiserslautern New Concepts for Future Spintronic Devices, York,England, June 12-14, 2019

• “Development high-sensitive magnetic tunnel junction based sensors”，Mikihiko Oogane
• “In-plane and perpendicular exchange bias effect induced by an antiferromagnetic D019 Mn2FeGa thin film”，Takahiro Ogasawara
• “Effect of magnetic domain structure on noise property in magnetic tunnel junction based sensor”，Shunsuke Komori
• “Magnetic properties of L10 (MnCo)Al thin film with high perpendicular magnetic anisotropy on Pt seed layer”，Longjie Yu
• “Fabrication of Weyl semimetal Heusler alloy Co2TiSi epitaxial films for large anomalous Hall effect”，Min Liu
• “Fabrication of Sendust thin films for application to magnetic tunnel junction sensors”，S. Akamatsu

MML2019, Madrid,Spein, June 17-21, 2019

• “Composition Dependence of the Exchange Anisotropy in PtxMn100-x/CoyFe100-y Films”，Sina Ranjbar

IEEE 2019 Magnetic Sensors, Lisbon,Portugal, June 24-27, 2019

• “Detection of micro-tesla magnetic field by serial magnetic tunnel junctions with different aspect ratios of bottom free layer”，Z Jin, M Oogane, Y Ando
• “Magnetic Tunnel Junction Sensors in Bridge Circuit for Non-Destructive Testing Application”，M A I M Noor Sam, Z Jin, K Fujiwara, M Oogane, Y Ando

MMM2019, Las Vegas,U.S.A, November 4-8, 2019

• “Second order interfacial magnetic anisotropy for MgO/CoFeB/Ta films”，Takahiro Ogasawara,Mikihiko Oogane, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando
• “Investigation of low-frequency noise dependent on serial MTJs with various junction areas”，Z. Jin , Y. Wang, M. Oogane and Y. Ando
• “Controlling domain configuration for the sensing layer of magnetic tunneling junction by using exchange bias”，S. Ranjbar, M. Al-Mahdawi, M. Oogane and Y. Ando
• “FeSiAl Thin Films with Low Magnetic Anisotropy for the Free Layer of Magnetic Tunnel Junction Based Sensors”，S. Akamatsu, M. Oogane, M. Tsunoda and Y. Ando
• “Investigation of Electrical Spin Injection into GaAs Using Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler Alloy”，J. Wang, T. Koike, M. Oogane, M. Tsunoda and Y. Ando
• “Polycrystalline Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler alloy thin films with high B2 ordering and small magnetic anisotropy for magnetic tunnel junction based sensors”，N. Kudo, M. Oogane, M. Tsunoda and Y. Ando
• “Fabrication of Antiferromagnetic Mn3Sn Epitaxial Thin Films and Anomalous Hall Effect in Them”，T. Ikeda, M. Tsunoda, M. Oogane, S. Oh, T. Morita and Y. Ando
• “L10-(MnCo)Al thin film with high perpendicular magnetic anisotropy grown on Pt seed layer”，L. Yu, M. Oogane, M. Tsunoda and Y. Ando

2019年度　国内会議

JSPS アモルファス・ナノ材料と応用 第144回研究会, 東京：東京工業大学, 2019年6月7日

• “高感度磁気センサの産業および医療応用”, 安藤 康夫（基調講演）

第34回日本生体磁気学会, 函館市：函館アリーナ, 2019年6月21-22日

• “ 強磁性トンネル接合を用いた生体磁場測定の今後の展望”， 安藤 康夫（招待講演）

第80回応用物理学会 秋季学術講演会, 札幌市：北海道大学, 2019年9月18-21日

• “Investigation of Electrical Spin Injection into GaAs Using Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler Alloy”， Juncheng Wang, Takeo Koike, Mikihiko Oogane, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando
• “Large spin signals of local 3-terminal spin valve effect in n-Si/MgO/Co2Fe0.4Mn0.6Si lateral structured devices at low temperature”， Takeo Koike, Mikihiko Oogane, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando
• “強磁性トンネル接合磁気センサ用FeSiAl薄膜の作製”， 赤松 昇馬, 大兼 幹彦, 角田 匡清, 安藤 康夫
• “Co2Fe0.4Mn0.6Siの軟磁気特性向上と磁気センサ型強磁性トンネル接合の作製”， 工藤 奈々, 大兼 幹彦, 角田 匡清, 安藤 康夫
• “Mn3Snエピタキシャル薄膜の作製と異常Hall効果の評価”， 池田 智紀, 角田 匡清, 大兼 幹彦, 呉 承俊, 森田 正, 安藤 康夫

第43回日本磁気学会 学術講演会, 京都市：京都大学, 2019年9月25-27日

• “強磁性トンネル磁気抵抗効果から生体磁気センサまで”， 安藤 康夫（招待講演）
• “CoFeBの二次の磁気異方性による強磁性トンネル接合磁気センサの非線形性制御”， 小笠原 貴大, 大兼 幹彦，角田 匡清，安藤 康夫
• “L21構造Co2TiSiホイスラー合金のエピタキシャル薄膜作製”， 劉 ミン, 大兼 幹彦，角田 匡清，安藤 康夫

日本非破壊検査協会 秋季講演大会, 広島市：ＲＣＣ文化センター, 2019年11月12-13日

• “Application of Magnetic Tunnel Junction Sensor for the Non-Destructive Testing of Reinforced Concrete”， Muhamad Arif Ihsan, Zhenhu Jin，大兼幹彦，安藤康夫

応用物理学会東北支部 第74回東北支部学術講演会, 郡山市：日本大学工学部, 2019年12月2-3日

• “L10-(MnCo)Al thin films with high perpendicular magnetic anisotropy grown on Pt and PtMn seed layers”，Longjie Yu, Mikihiko Oogane, Masakiyo Tsunoda, Yasuo Ando
• “Co2Fe0.4Mn0.6Si ホイスラー電極を用いたGaAs へのスピン注入特性の評価”，Wang Juncheng, 小池 剛央, 大兼 幹彦, 角田 匡清, 安藤 康夫
• “多結晶Co2Fe0.4Mn0.6Si フリー層への一軸磁気異方性付与及びそれを用いた磁気センサ用強磁性トンネル接合素子の作製”，工藤 奈々, 大兼 幹彦, 角田 匡清, 安藤 康夫
• “Co2Fe0.4Mn0.6Si 薄膜の作製およびその磁気緩和定数”，山村 佳史, 大兼 幹彦, 角田 匡清, 安藤 康夫
• “Co2TiSi フルホイスラー合金エピタキシャル薄膜の作製とその異常ホール効果”，劉 ミン, 大兼 幹彦, 角田 匡清, 安藤 康夫
• “Kr ガスを用いた平坦なL12-規則化Mn3Ir 薄膜の作製”，後藤 圭, 大兼 幹彦, 角田 匡清, 安藤 康夫
• “強磁性トンネル接合センサ用FeSiAl 薄膜の作製”，赤松 昇馬, 大兼 幹彦, 角田 匡清, 安藤 康夫
• “強磁性トンネル接合磁気センサの感度向上に対するフラックスコンセントレータの磁気特性の影響”，金子 真也, 藤原 耕輔, 大兼 幹彦, 角田 匡清, 熊谷 静似, 安藤 康 夫
• “Mn3Sn エピタキシャル薄膜の作製とその評価”，池田 智紀, 角田 匡清, 大兼 幹彦, 呉 承俊, 森田 正, 安藤 康夫
• “強磁性トンネル接合磁気センサにおけるフリー層磁区構造のノイズへの影響”，小森 隼佑, 藤原 耕輔, 大兼 幹彦, 熊谷 静似, 安藤 康夫
• “Co2Fe0.4Mn0.6Si ホイスラー電極を用いたGaAs へのスピン注入特性の評価”，Wang Juncheng, 小池 剛央, 大兼 幹彦, 角田 匡清, 安藤 康夫
• “Pt 下地層上に作製した(MnCo)Al 薄膜における結晶および表面平坦性の膜厚依存性”，菊地 竜太郎, アルマダウィ ミフタ, 大兼 幹彦, 安藤 康夫

2019年度　受賞等

• Sina Ranjbar，MML2019 Scholarship granted, “Composition Dependence of the Exchange Anisotropy in PtxMn100-x/CoyFe100-y Films” 2019.6.20
• 小笠原 貴大，2019MMM Conference Best Poster Award, “Second order interfacial magnetic anisotropy for MgO/CoFeB/Ta films” 2019.11.5
• MUHAMAD ARIF IHSAN BIN MOHD NOOR SAM，非破壊検査総合シンポジウム・秋季講演大会新進賞, “Application of Magnetic Tunnel Junction Sensor for the Non-Destructive Testing of Reinforced Concrete” 2019.11.13
• 小池 剛央，Journal of Applied Physics・Featured Article, “Large spin signals in n+-Si/MgO/Co2Fe0.4Mn0.6Si lateral spin-valve devices,” 2020.2.28
• 池田智紀(令和元年度修士修了)，令和元年度工学研究科長賞, 2020年3月25日
• 池田智紀(令和元年度修士修了)，令和元年度（第23回）応用物理研究奨励賞，「Anomalous Hall effect in polycrystalline Mn3Sn thin films, Applied Physics Letter, 113, 222405 (2018)」 「Improvement of Large Anomalous Hall Effect in Polycrystalline Antiferromagnetic Mn3+xSn Thin Films IEEE TRANSACTION ON MAGNETICS, 55, 2501704 (2019) 」,2020年3月25日

• 小笠原貴大(令和元年度博士中退)，令和元年度（第23回）応用物理研究奨励賞，「Effect of second-order magnetic anisotropy on nonlinearity of conductance in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction for magnetic sensor devices” Scientific Reports, 9, 17018 (2019) 」,2020年3月25日

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